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IRLR2705TRRPBF
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IRLR2705TRRPBF 数据手册 (12 页)
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IRLR2705TRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
68W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
28A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
880pF @25V(Vds)
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
68W (Tc)

IRLR2705TRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR2705TRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte

IRLR2705 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR2705TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 55 V 68 W 25 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 28A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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