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IRLS640A
0.781
IRLS640A 数据手册 (8 页)
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IRLS640A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
9.80 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
180 mΩ
极性
N-Channel
功耗
40 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
9.80 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
1705pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

IRLS640A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
15.87 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLS640A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.72 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.68 MByte

IRLS640 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.8 A, 200 V, 0.18 ohm, 5 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Samsung(三星)
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