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IRLU9343PBF
0.432
IRLU9343PBF 数据手册 (10 页)
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IRLU9343PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
额定功率
79 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
170 mΩ
极性
P-CH
功耗
79 W
阈值电压
1 V
输入电容
660 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @50V(Vds)
下降时间
9.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
79 W

IRLU9343PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
2.39 mm
高度
6.22 mm

IRLU9343PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLU9343 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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