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IRS20124SPBF
器件3D模型
4.209
IRS20124SPBF 数据手册 (27 页)
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IRS20124SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-14
额定功率
1.25 W
输出接口数
2 Output
输出电压
200 V
输出电流
1.1.2 A
通道数
1 Channel
针脚数
14 Position
功耗
1250 mW
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW
电源电压
10V ~ 18V
电源电压(Max)
18 V
电源电压(Min)
10 V

IRS20124SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
8.74 mm
宽度
3.99 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

IRS20124SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
27 页 / 1.18 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.16 MByte

IRS20124 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS20124SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-18V电源, 1.2A输出, 60ns延迟, SOIC-14
International Rectifier(国际整流器)
IRS20124SPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 14针 SOIC封装
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IRF
离散死区时间和保护数字音频驱动 DIGITAL AUDIO DRIVER WITH DISCRETE DEAD-TIME AND PROTECTION
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