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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > IRS21271SPBF Datasheet 文档
IRS21271SPBF
器件3D模型
1.152
IRS21271SPBF 数据手册 (21 页)
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IRS21271SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
80ns, 40ns
输出接口数
1 Output
功耗
625 mw
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
9V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS21271SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS21271SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.14 MByte

IRS21271 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 高压侧, 10 V至20 V电源, 600 mA输出, 150 ns延迟, NSOIC-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,单通道,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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