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IRS2308S
器件3D模型
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IRS2308S 数据手册 (21 页)
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IRS2308S 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOIC

IRS2308S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
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Active

IRS2308S 数据手册

Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2308 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
IRS2308STRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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