器件3D模型

￥ 6.713

IRS23364DSTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-28

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRS23364DSTRPBF 数据手册 (49 页)

封装尺寸在40 页 41 页 42 页

典型应用电路图在1 页 4 页 13 页 14 页

原理图在4 页 11 页 12 页

IRS23364DSTRPBF 数据手册 (49 页)

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IRS23364DSTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

28 Pin

封装

SOIC-28

上升/下降时间

125ns, 50ns

输出接口数

6 Output

输出电流

200 mA

功耗

1.6 W

静态电流

3 mA

上升时间

125 ns

下降时间

50 ns

下降时间(Max)

75 ns

上升时间(Max)

190 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1600 mW

电源电压

11.5V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

11.5 V

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IRS23364DSTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

18.1 mm

宽度

7.6 mm

高度

2.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRS23364DSTRPBF 符合标准

IRS23364DSTRPBF 海关信息

IRS23364DSTRPBF 概述

IRS23364DSTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

49 页 / 0.96 MByte

IRS23364DSTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IRS23364DSTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRS23364DSTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IRS23364DSTRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRS23364 数据手册

IRS23364DJPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRS23364DJPBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44

IRS23364DSPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28

IRS23364DSTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA

IRS23364DJTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRS23364DSPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRS23364DJPBF 数据手册

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