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器件3D模型
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IS42S16160G-7BL 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
RAM芯片
封装:
BGA-54
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IS42S16160G-7BL 数据手册 (63 页)
引脚图
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IS42S16160G-7BL 数据手册 (63 页)
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IS42S16160G-7BL 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
54 Pin
封装
BGA-54
供电电流
130 mA
位数
16 Bit
存取时间
5.4 ns
存取时间(Max)
5.4 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V
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IS42S16160G-7BL 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)
查看数据手册 >
IS42S16160G-7BL 符合标准
IS42S16160G-7BL 概述
●
SDRAM 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)
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IS42S16160G-7BL 数据手册
IS42S16160G-7BL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
63 页 / 1.13 MByte
IS42S16160G-7BL
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IS42S16160G-7TLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式
IS42S16160G-7BLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160G-7BLI 芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA
IS42S16160G-7TL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
IS42S16160G-7BLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
IS42S16160G-7TL-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16160G-7BL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16160G-7TLI-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16160G-7BL-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16160G-7BI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16160G-7BI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm), IT, T&R
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