器件3D模型

￥ 7.942

IS42S16160G-7BLI-TR 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)

制造商:

Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类:

存储芯片

封装:

TFBGA-54

描述:

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IS42S16160G-7BLI-TR 数据手册 (63 页)

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IS42S16160G-7BLI-TR 数据手册 (63 页)

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IS42S16160G-7BLI-TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

54 Pin

封装

TFBGA-54

供电电流

130 mA

时钟频率

143 MHz

位数

16 Bit

存取时间

5.4 ns

存取时间(Max)

5.4 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

3V ~ 3.6V

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IS42S16160G-7BLI-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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IS42S16160G-7BLI-TR 符合标准

IS42S16160G-7BLI-TR 海关信息

IS42S16160G-7BLI-TR 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

63 页 / 1.13 MByte

IS42S16160G-7BLI-TR 产品设计参考手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

1 页 / 0.03 MByte

IS42S16160G-7BLI-TR 其他数据使用手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

64 页 / 1.02 MByte

IS42S16160G7 数据手册

IS42S16160G-7TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度每个时钟周期的随机列地址自刷新和自动刷新模式

IS42S16160G-7BLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160G-7BLI 芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA

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