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IS42S16160G-7TL
器件3D模型
3.459
IS42S16160G-7TL 数据手册 (63 页)
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IS42S16160G-7TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
54 Pin
工作电压
3V ~ 3.6V
封装
TSOP-54
供电电流
130 mA
位数
16 Bit
存取时间
5.4 ns
存取时间(Max)
5.4 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

IS42S16160G-7TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
22.42 mm
宽度
10.29 mm
高度
1.05 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)

IS42S16160G-7TL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
63 页 / 1.13 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
1 页 / 0.03 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
63 页 / 0.83 MByte

IS42S16160G7 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS42S16160G-7BLI  芯片, 存储器, SDRAM, SDR, 256MB, 3.3V, 54BGA
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm), IT, T&R
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