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器件3D模型
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IS42S16800E-75EBLI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
RAM芯片
封装:
TFBGA-54
描述:
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IS42S16800E-75EBLI 数据手册 (61 页)
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IS42S16800E-75EBLI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
54 Pin
封装
TFBGA-54
供电电流
130 mA
位数
16 Bit
存取时间
5.4 ns
存取时间(Max)
5.5 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V
查看数据手册 >
IS42S16800E-75EBLI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tray
长度
8 mm
宽度
8 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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IS42S16800E-75EBLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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IS42S16800E-75EBLI
产品设计参考手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
1 页 / 0.03 MByte
IS42S16800E75 数据手册
IS42S16800E-75EBLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S16800E-75ETLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S16800E-75EBL
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S16800E-75ETL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S16800E-75EBLI-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16800E-75EBL-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
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