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器件3D模型
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IS42S16800F-7TLI-TR 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
存储芯片
封装:
TSOP-54
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IS42S16800F-7TLI-TR 数据手册 (62 页)
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封装尺寸
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IS42S16800F-7TLI-TR 数据手册
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IS42S16800F-7TLI-TR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
54 Pin
封装
TSOP-54
供电电流
100 mA
位数
16 Bit
存取时间
5.4 ns
存取时间(Max)
5.4 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V
查看数据手册 >
IS42S16800F-7TLI-TR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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IS42S16800F-7TLI-TR 符合标准
IS42S16800F-7TLI-TR 海关信息
IS42S16800F-7TLI-TR 数据手册
IS42S16800F-7TLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
62 页 / 0.8 MByte
IS42S16800F-7TLI-TR
其他数据使用手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
63 页 / 0.92 MByte
IS42S16800F7 数据手册
IS42S16800F-7TLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
128-Mbit(16M × 8bit),并行接口,工作电压:3.3V
IS42S16800F-7TL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
IS42S16800F-7BLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S16800F-7BL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16800F-7TLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16800F-7TL-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16800F-7BLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
IS42S16800F-7BL-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz S动态随机存取存储器, 3.3v
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