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IS42S32200E-7BL
4.537
IS42S32200E-7BL 数据手册 (59 页)
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IS42S32200E-7BL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
90 Pin
封装
BGA-90
供电电流
140 mA
存取时间
5.5 ns
内存容量
8000000 B
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V

IS42S32200E-7BL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
13 mm
宽度
8 mm
高度
0.8 mm
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TA)

IS42S32200E-7BL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
59 页 / 1.19 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
1 页 / 0.03 MByte

IS42S32200E7 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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