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器件3D模型
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IS42S32800D-75EBI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
存储芯片
封装:
TFBGA-90
描述:
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IS42S32800D-75EBI 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
TFBGA-90
存取时间
7.5 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
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IS42S32800D-75EBI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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IS42S32800D-75EBI 符合标准
IS42S32800D-75EBI 概述
●
SDRAM 存储器 IC 256Mb(8M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)
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IS42S32800D-75EBI 数据手册
IS42S32800D-75EBI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S32800D-75EBI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
IS42S32800D-75EBL
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
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动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
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