￥ 7.65

IS42S32800D-7BL 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)

制造商:

Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类:

存储芯片

封装:

BGA-90

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IS42S32800D-7BL 数据手册 (60 页)

引脚图在3 页 4 页 5 页Hot

封装尺寸在59 页 60 页

原理图在2 页

IS42S32800D-7BL 数据手册 (60 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IS42S32800D-7BL 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

90 Pin

封装

BGA-90

供电电流

150 mA

存取时间

7 ns

电源电压

3V ~ 3.6V

电源电压(Max)

3.6 V

电源电压(Min)

3 V

查看数据手册 >

IS42S32800D-7BL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

宽度

8 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃ (TA)

查看数据手册 >

IS42S32800D-7BL 符合标准

IS42S32800D-7BL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

60 页 / 0.81 MByte

IS42S32800D-7BL 产品设计参考手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

1 页 / 0.03 MByte

IS42S32800D-7BL 其他数据使用手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

63 页 / 1.11 MByte

IS42S32800D7 数据手册

IS42S32800D-7BLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7BLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 90BGA

IS42S32800D-7TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7TLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2

IS42S32800D-7TL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度每个时钟周期的随机列地址自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

IS42S32800D-7BL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

IS42S32800D-75EBLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

IS42S32800D-75EBI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

IS42S32800D-75EBL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

IS42S32800D-7B 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)