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器件3D模型
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IS61LV25616AL-10LQI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
RAM芯片
封装:
LQFP-44
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IS61LV25616AL-10LQI 数据手册 (16 页)
引脚图
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封装尺寸
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在
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IS61LV25616AL-10LQI 数据手册
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IS61LV25616AL-10LQI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
44 Pin
电源电压
3.30 V, 3.60 V (max)
封装
LQFP-44
位数
16 Bit
存取时间
10.0 ns
内存容量
4000000 B
存取时间(Max)
10 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
3.135V ~ 3.6V
查看数据手册 >
IS61LV25616AL-10LQI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃
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IS61LV25616AL-10LQI 符合标准
IS61LV25616AL-10LQI 海关信息
IS61LV25616AL-10LQI 数据手册
IS61LV25616AL-10LQI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
16 页 / 0.33 MByte
IS61LV25616AL-10LQI
其他数据使用手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
17 页 / 0.15 MByte
IS61LV25616AL10 数据手册
IS61LV25616AL-10TLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
IS61LV25616AL-10TL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV25616AL-10TL 芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 10NS, TSOP-2-44
IS61LV25616AL-10BLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 3.135V 至 3.63V, Mini BGA, 48 引脚, 10 ns
IS61LV25616AL-10TLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10TL-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10TI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10BI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10KLI
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10K
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61LV25616AL-10LQI
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