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器件3D模型
¥ 4.314
ISL12022MIBZ-T 数据手册 - Renesas Electronics(瑞萨电子)
制造商:
Renesas Electronics(瑞萨电子)
封装:
SOIC-20
描述:
RTC, 日期时间格式 (年/月/日/星期, HH:MM:SS), I2C, 2.7V至5.5V电源, SOIC-20
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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ISL12022MIBZ-T 数据手册 (31 页)
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ISL12022MIBZ-T 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
20 Pin
封装
SOIC-20
针脚数
20 Position
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.7 V
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ISL12022MIBZ-T 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
ISL12022MIBZ-T 符合标准
ISL12022MIBZ-T 海关信息
ISL12022MIBZ-T 概述
●
实时时钟 (RTC) IC 时钟/日历 128B I²C,2 线串口 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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ISL12022MIBZ-T 数据手册
ISL12022MIBZ-T
数据手册
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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Intersil(英特矽尔)
SRAM和±5PPM温度补偿晶体的实时时钟
ISL12022
MIBZ-T
数据手册
Intersil(英特矽尔)
128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出
ISL12022
MIBZ
数据手册
Intersil(英特矽尔)
SRAM内部晶体自动温度补偿高精度5ppm
ISL12022
IBZ-T
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Intersil(英特矽尔)
SRAM自动温度补偿高精度5ppm
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Intersil(英特矽尔)
128字节电池保持SRAM,多种中断和频率输出
ISL12022
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低功耗RTC,带有电池供电的SRAM ,集成± 5ppm的温度补偿和自动夏令 Low Power RTC with Battery Backed SRAM, Integrated ±5ppm Temperature Compensation and Auto Daylight Saving
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ISL12022
MIBZ-T
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Renesas Electronics(瑞萨电子)
RTC, 日期时间格式 (年/月/日/星期, HH:MM:SS), I2C, 2.7V至5.5V电源, SOIC-20
ISL12022
IBZ
数据手册
Renesas Electronics(瑞萨电子)
实时时钟外设,Intersil
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