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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Intersil(英特矽尔) > ISL89412IBZ Datasheet 文档
ISL89412IBZ
器件3D模型
1.044
ISL89412IBZ 数据手册 (10 页)
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ISL89412IBZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
上升/下降时间
7.5ns, 10ns
输出接口数
2 Output
功耗
570 mW
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
20 ns
耗散功率(Max)
570 mW
电源电压
4.5V ~ 18V

ISL89412IBZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-40℃ ~ 85℃

ISL89412IBZ 数据手册

Intersil(英特矽尔)
10 页 / 0.31 MByte
Intersil(英特矽尔)
24 页 / 0.37 MByte

ISL89412 数据手册

Intersil(英特矽尔)
2A,高速2通道MOSFET驱动器
Intersil(英特矽尔)
高速,双通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers
Intersil(英特矽尔)
高速,双通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Intersil(英特矽尔)
高速,双通道功率MOSFET驱动器 High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers
Renesas Electronics(瑞萨电子)
低边 MOSFET 灌:2A 拉:2A
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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