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ISL9N318AD3ST 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ISL9N318AD3ST 数据手册 (11 页)

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ISL9N318AD3ST 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-252

漏源极电阻

18.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

55 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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ISL9N318AD3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

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ISL9N318AD3ST 符合标准

ISL9N318AD3ST 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

11 页 / 0.29 MByte

ISL9N318AD3 数据手册

ISL9N318AD3ST 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

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