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ISL9V5045S3S
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ISL9V5045S3S 数据手册 (9 页)
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ISL9V5045S3S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
450 V
额定电流
51.0 A
封装
TO-263-3
功耗
300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
480 V
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300000 mW

ISL9V5045S3S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
高度
4.83 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

ISL9V5045S3S 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
16 页 / 0.06 MByte

ISL9V5045S3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
EcoSPARK N沟道IGBT点火 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild(飞兆/仙童)
EcoSPARK N沟道IGBT点火 EcoSPARK N-Channel Ignition IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ISL9V5045S_F085: IGBT,450V,43A,1.25V,500mJ,D2PAKEcoSPARK I,N 沟道点火
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 晶体管 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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