器件3D模型

￥ 4.609

ISO5500DWR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-16

描述:

2.5 A隔离式IGBT ， MOSFET栅极驱动器 2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ISO5500DWR 数据手册 (43 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在37 页 39 页 40 页

典型应用电路图在26 页 27 页 28 页 29 页 30 页 31 页

原理图在1 页 16 页

ISO5500DWR 数据手册 (43 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ISO5500DWR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

16 Pin

封装

SOIC-16

上升/下降时间

55ns, 10ns

输出接口数

1 Output

通道数

1 Channel

功耗

592 mW

隔离电压

4243 Vrms

下降时间

10 ns

下降时间(Max)

10 ns

上升时间(Max)

55 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

592 mW

电源电压(Max)

5.5 V

电源电压(Min)

3 V

查看数据手册 >

ISO5500DWR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃

查看数据手册 >

ISO5500DWR 符合标准

ISO5500DWR 海关信息

ISO5500DWR 数据手册

TI（德州仪器）

43 页 / 1.56 MByte

ISO5500DWR 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

1 页 / 0.06 MByte

ISO5500 数据手册

TI（德州仪器）

4.24kVrms、2.5 A 隔离式 IGBT 栅极驱动器

ISO5500DW 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS ISO5500DW 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧, 3V-5.5V电源, 2.5A输出, 200ns延迟, SOIC-16

ISO5500DWR 数据手册

TI（德州仪器）

2.5 A隔离式IGBT ， MOSFET栅极驱动器 2.5 A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver

ISO5500EVM 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS ISO5500EVM 评估模块, Application Note, 隔离门驱动器, 兼容CMOS/TTL输入

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号