￥ 23.012

IXA55I1200HJ 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXA55I1200HJ 单晶体管, IGBT, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXA55I1200HJ 数据手册 (16 页)

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IXA55I1200HJ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

针脚数

3 Position

功耗

290 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

290 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

290 W

IXA55I1200HJ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IXA55I1200HJ 符合标准

IXA55I1200HJ 海关信息

IXA55I1200HJ 概述

IXA55I1200HJ 数据手册

IXA55I1200HJ 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

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IXA55I1200 数据手册

IXA55I1200HJ 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXA55I1200HJ 单晶体管, IGBT, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚

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