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IXA60IF1200NA
25.145
IXA60IF1200NA 数据手册 (7 页)
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IXA60IF1200NA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
针脚数
4 Position
功耗
290 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
290 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
290 W

IXA60IF1200NA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
38.23 mm
宽度
25.25 mm
高度
9.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IXA60IF1200NA 数据手册

IXYS Semiconductor
7 页 / 0.14 MByte
IXYS Semiconductor
16 页 / 0.13 MByte

IXA60IF1200 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXA60IF1200NA  单晶体管, IGBT, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 引脚
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