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IXFA4N100Q-TRL
4.305
IXFA4N100Q-TRL 数据手册 (4 页)
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IXFA4N100Q-TRL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
150W (Tc)
漏源极电压(Vds)
1000 V
输入电容值(Ciss)
1050pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
150W (Tc)

IXFA4N100Q-TRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFA4N100Q-TRL 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.14 MByte

IXFA4N100 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N 沟道 1000 V 3 Ω Q 类 表面贴装 HiPerFET Mosfet TO-263
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