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IXFB40N110Q3
39.511
IXFB40N110Q3 数据手册 (5 页)
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IXFB40N110Q3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-264-3
极性
N-CH
功耗
1560W (Tc)
漏源极电压(Vds)
1100 V
连续漏极电流(Ids)
40A
上升时间
68 ns
输入电容值(Ciss)
14000pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1560W (Tc)

IXFB40N110Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFB40N110Q3 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.13 MByte

IXFB40N110 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N沟道 1.1kV 40A
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