Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXFH14N100 Datasheet 文档
IXFH14N100
12.42
IXFH14N100 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXFH14N100 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
360 W
漏源极电压(Vds)
1000 V
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
4500pF @25V(Vds)
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360W (Tc)

IXFH14N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH14N100 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.11 MByte
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.11 MByte

IXFH14 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH14N100Q2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 140A
IXYS Semiconductor
通孔 N 通道 800V 14A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
N沟道 850V 14A
IXYS Semiconductor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z