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IXFH21N50 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH21N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH21N50 数据手册 (4 页)

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IXFH21N50 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

21.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

300 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

21.0 A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFH21N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH21N50 符合标准

IXFH21N50 海关信息

IXFH21N50 概述

IXFH21N50 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.15 MByte

IXFH21N50 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

8 页 / 0.17 MByte

IXFH21 数据手册

IXFH21N50 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFH21N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

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IXFH21N50F 数据手册

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IXYS RF IXFH21N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD

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