￥ 8.253

IXFH36N60P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH36N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH36N60P 数据手册 (4 页)

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IXFH36N60P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

36.0 A

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.19 Ω

极性

N-Channel

功耗

650 W

阈值电压

5 V

输入电容

5.80 nF

栅电荷

102 nC

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

36.0 A

上升时间

25 ns

反向恢复时间

200 ns

输入电容值(Ciss)

5800pF @25V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

650W (Tc)

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IXFH36N60P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH36N60P 符合标准

IXFH36N60P 概述