￥ 0.408

IXFH52N30Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH52N30Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 52 A, 300 V, 60 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH52N30Q 数据手册 (2 页)

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IXFH52N30Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

300 V

额定电流

52.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.06 Ω

极性

N-Channel

功耗

360 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

52.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

5300pF @25V(Vds)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

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IXFH52N30Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

重量

6 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH52N30Q 符合标准

IXFH52N30Q 海关信息