IXFH9N80Q

￥ 7.729

IXFH9N80Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH9N80Q 数据手册 (5 页)

IXFH9N80Q 数据手册 (5 页)

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IXFH9N80Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

9A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

180000 mW

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IXFH9N80Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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IXFH9N80Q 符合标准

IXFH9N80Q 概述

IXFH9N80Q 数据手册

IXFH9N80Q 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

IXFH9N80Q 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.14 MByte

IXFH9N80 数据手册

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