￥ 29.104

IXFK26N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFK26N120P 数据手册 (4 页)

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IXFK26N120P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

960 W

阈值电压

6.5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

漏源击穿电压

1200 V

连续漏极电流(Ids)

26A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

14000pF @25V(Vds)

下降时间

58 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

960W (Tc)

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IXFK26N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

19.96 mm

宽度

5.13 mm

高度

26.16 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFK26N120P 符合标准

IXFK26N120P 概述