IXFN110N85X

￥ 60.953

IXFN110N85X 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

N沟道 850V 110A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFN110N85X 数据手册 (5 页)

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IXFN110N85X 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

极性

N-CH

功耗

1170 W

漏源极电压(Vds)

850 V

连续漏极电流(Ids)

110A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

17000pF @25V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1170000 mW

IXFN110N85X 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

IXFN110N85X 符合标准

IXFN110N85X 数据手册

IXFN110N85X 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

IXFN110N85 数据手册

IXFN110N85X 数据手册

IXYS Semiconductor

N沟道 850V 110A

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