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IXFN120N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN120N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 200 V, 17 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN120N20 数据手册 (2 页)

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IXFN120N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

120 A

封装

SOT-227-4

额定功率

600 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.017 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

120 A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

9100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXFN120N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN120N20 符合标准

IXFN120N20 海关信息

IXFN120N20 数据手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.07 MByte

IXFN120N20 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.15 MByte

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