￥ 25.145

IXFN180N07 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN180N07 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXFN180N07 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6 mΩ

功耗

520 W

漏源极电压(Vds)

70 V

漏源击穿电压

70 V

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

9000pF @25V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

查看数据手册 >

IXFN180N07 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFN180N07 符合标准

IXFN180N07 概述

IXFN180N07 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.19 MByte

IXFN180N07 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.18 MByte

IXFN180 数据手册

IXFN180N15P 数据手册

IXYS Semiconductor

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXFN180N10 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V

IXFN180N20 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20. 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 200 V, 10 mohm, 10 V, 4 V

IXFN180N25T 数据手册

IXYS Semiconductor

IXFN 系列 N 沟道 250 V 12.9 mOhm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-227

IXYS Semiconductor

IXYS Semiconductor

IXYS Semiconductor

Littelfuse（力特）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号