IXFN180N10

￥ 8.986

IXFN180N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN180N10 数据手册 (4 页)

IXFN180N10 数据手册 (4 页)

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IXFN180N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

180 A

上升时间

90 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

9100pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXFN180N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

重量

42.0 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN180N10 数据手册

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