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IXFN200N06
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IXFN200N06 数据手册 (2 页)
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IXFN200N06 技术参数、封装参数

类型
描述
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
70 V
连续漏极电流(Ids)
180A

IXFN200N06 数据手册

IXYS Semiconductor
2 页 / 0.09 MByte

IXFN200 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN200N07  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 200 A, 70 V, 6 mohm, 10 V, 4 V
Littelfuse(力特)
IXYS Semiconductor
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