￥ 0.703

IXFN230N10 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN230N10 数据手册 (5 页)

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IXFN230N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.006 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

230 A

上升时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

19000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN230N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

25.42 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN230N10 符合标准

IXFN230N10 海关信息

IXFN230N10 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

IXFN230N10 其他数据使用手册

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2 页 / 0.07 MByte

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