￥ 25.073

IXFN27N80Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN27N80Q 数据手册 (2 页)

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IXFN27N80Q 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.32 Ω

极性

N-Channel

功耗

520 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

27.0 A

上升时间

28 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

7600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

520 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

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IXFN27N80Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

重量

40.0 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN27N80Q 符合标准