￥ 21.205

IXFN360N10T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXFN 系列单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN360N10T 数据手册 (7 页)

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IXFN360N10T 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

漏源极电阻

0.0026 Ω

极性

N-CH

功耗

830 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

360A

上升时间

142 ns

输入电容值(Ciss)

36000pF @25V(Vds)

下降时间

26 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830W (Tc)

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IXFN360N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN360N10T 符合标准

IXFN360N10T 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.17 MByte

IXFN360N10T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.17 MByte

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IXFN 系列单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B

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