IXFN44N60 数据手册 - IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N80P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 190 mohm, 10 V, 5 V

N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 600 V, 130 mohm, 10 V, 4.5 V

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N50Q  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

IXFN 系列 单 N 沟道 1000 Vds 220 mOhm 890 W 功率 Mosfet - SOT-227B