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IXFN90N85X 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

底座安装 N 通道 850V 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFN90N85X 数据手册 (5 页)

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IXFN90N85X 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

极性

N-CH

功耗

1200W (Tc)

漏源极电压(Vds)

850 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

13300pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1200W (Tc)

IXFN90N85X 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFN90N85X 符合标准

IXFN90N85X 概述

IXFN90N85X 数据手册

IXFN90N85X 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

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IXFN90N85 数据手册

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IXYS Semiconductor

底座安装 N 通道 850V 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B

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