IXFT12N100

￥ 14.231

IXFT12N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-268-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFT12N100 数据手册 (4 页)

IXFT12N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-268-3

极性

N-CH

功耗

300W (Tc)

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

12A

输入电容值(Ciss)

4000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFT12N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFT12N100 符合标准

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