IXFT86N30T

￥ 9.225

IXFT86N30T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-268-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFT86N30T 数据手册 (6 页)

IXFT86N30T 数据手册 (6 页)

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IXFT86N30T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-268-3

漏源极电阻

43 mΩ

极性

N-CH

功耗

830 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

漏源击穿电压

300 V

连续漏极电流(Ids)

86A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

11300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

830 W

下降时间

54 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

860W (Tc)

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IXFT86N30T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.05 mm

宽度

14 mm

高度

5.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFT86N30T 符合标准

IXFT86N30T 概述

IXFT86N30T 数据手册

IXFT86N30T 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.18 MByte

IXFT86N30T 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.16 MByte

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