￥ 15.615

IXFX120N25 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFX120N25 数据手册 (2 页)

IXFX120N25 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-247-3

极性

N-CH

功耗

560 W

漏源极电压(Vds)

250 V

连续漏极电流(Ids)

120A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

9400pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

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IXFX120N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFX120N25 符合标准

IXFX120N25 数据手册

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2 页 / 0.09 MByte

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