￥ 0.618

IXFX20N120P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFX20N120P 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXFX20N120P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.57 Ω

极性

N-Channel

功耗

780 W

阈值电压

6.5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

漏源击穿电压

1200 V

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

11100pF @25V(Vds)

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

780W (Tc)

查看数据手册 >

IXFX20N120P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFX20N120P 符合标准

IXFX20N120P 概述

IXFX20N120P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.11 MByte

IXFX20N120 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120 功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 750 mohm, 10 V, 4.5 V

IXFX20N120P 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFX20N120P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 1.2 kV, 0.57 ohm, 10 V, 6.5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号