IXFX55N50F

￥ 34.323

IXFX55N50F 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IXFX55N50F 数据手册 (4 页)

或点击图片查看大图

IXFX55N50F 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

55.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

85 mΩ

功耗

560 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

55.0 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

6700pF @25V(Vds)

下降时间

9.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

IXFX55N50F 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.34 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFX55N50F 符合标准

IXFX55N50F 概述

IXFX55N50F 数据手册

IXFX55N50F 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.14 MByte

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