IXGH32N170A

￥ 18.735

IXGH32N170A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGH32N170A 数据手册 (5 页)

IXGH32N170A 数据手册 (5 页)

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IXGH32N170A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.70 kV

额定电流

75.0 A

封装

TO-247-3

功耗

350000 mW

上升时间

57.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

额定功率(Max)

350 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350000 mW

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IXGH32N170A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGH32N170A 符合标准

IXGH32N170A 海关信息

IXGH32N170A 数据手册

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