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IXGH60N60C3D1
6.23
IXGH60N60C3D1 数据手册 (4 页)
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IXGH60N60C3D1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
380 W
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
25 ns
额定功率(Max)
380 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380 W

IXGH60N60C3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGH60N60C3D1 数据手册

IXYS Semiconductor
4 页 / 0.82 MByte
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.23 MByte

IXGH60N60C3 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXGH 系列 600 Vce 75 A 21 ns t(on) 1.7 Vce(sat) IGBT - TO-247 AD
Littelfuse(力特)
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