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IXGN200N170
59.601
IXGN200N170 数据手册
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IXGN200N170 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-227-4
击穿电压(集电极-发射极)
1700 V
反向恢复时间
133 ns
额定功率(Max)
1250 W

IXGN200N170 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXGN200N170 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.18 MByte

IXGN200 数据手册

IXYS Semiconductor
IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 晶体管 200 Amps 600V
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
IGBT 1700V 280A 1250W 底座安装 SOT-227B
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