IXGP12N100

￥ 3.717

IXGP12N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXGP12N100 数据手册 (3 页)

IXGP12N100 数据手册 (3 页)

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IXGP12N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

击穿电压(集电极-发射极)

1000 V

额定功率(Max)

100 W

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IXGP12N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXGP12N100 符合标准

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